【东风汽车报武汉讯】6月15日，智新科技旗下智新半导体首批1700V MOSFET模块（SiC MOSFET模块是一种基于碳化硅材料的功率半导体器件）正式下线。

据介绍，随着新能源汽车产业向1000V以上高压架构快速演进，电驱系统对功率器件的性能、效率与可靠性提出了更高要求。1700V电压等级尤其契合1200V平台主驱逆变器的需求，1700V SiC MOSFET模块成为突破传统硅基（IGBT）性能瓶颈，实现电驱系统高效化、轻量化、长续航的核心器件，可广泛应用于高性能越野车、电动卡车、电动矿车的三相逆变器、兆瓦级超级充电桩等场景。

1700V SiC MOSFET模块在保持尺寸基本不变的情况下，提高了产品应用场景兼容性；采用一系列新技术，确保产品在高温、高湿、高振动环境下的长期可靠性；采用低热阻设计，提升功率密度，满足紧凑型电驱系统布局需求。该模块在开关损耗、导通损耗、工作温度、电控效率、充电时间等方面也表现出卓越性能。

（记者 于文欣 通讯员 刘晨辉）